SJ 50033.3-1994 半导体分立器件.GP、GT和GCT级GH21、GH22和GH23型半导体光耦合器详细规范
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ID： |
3C9F9A734FDD4FECB9AB7D46B40AAF22 |
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文件大小(MB)： |
0.54 |
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12 |
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日期： |
2024-7-28 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/3-94,半导体分立器件,GPSGT 和 GCT 级 GH2RGH22,和GH23型半导体光耦合器,详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for semiconductor opto-couplers,for type GH21, GH22 and GH23 of GP, GT and GCT classes,1994-09-30 发布1994-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,下载,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,GP、GT 和 GCT 级 GH2KGH22 和 GH23 型,SJ 50033/3—94,半导体光耦合器详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for semiconductor optocouplers,for type GH2LGH22 and GH23 of CP, Gf and GCT classes,1范围,1.I 主题内容,本规范规定了 GH21.GH22和GH23型半导体光耦合器的详细要求。该种器件按GJB 33,《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级（GP、GT和GCT级）,1.2 外形尺寸,见图1,1.3 最大额定值（除非另有规定,Ta=25じ）,1.3.1 红外发射二极管最大额定值,注:1） Ta=65~ 125セ时按0.67mA/匕线性地降额,ぬ 1! げ I； f 2),工m,V A(pk),2,1 4。 1,1,2）脉冲宽度1.0心,每秒3000个脉冲,1.3.2光敏晶体管最大额定值,Vceo 炉CBO ￥ebo rP tartn Ic,V V V mW mA,40 45 7 300 50,注:】）Ta = 25.1251c时按3mW/C线性地降额,1.3.3光耦合器最大额定值,1.4主要光电特性（77 = 25匕）,丁」らV10,匕C V,一55一十 !25 -55- +125 1000,中华人民共和国电子工业部1994-Q9-30发布 !994-12-01实施,—1 —,SJ 50033/3-94,1.4.1 红外发射二极管（输入）特性,Ir,pA V,Vr=2V = WniA,最 小最 大最 小最 大,100 ’0.8 1.5,1.4.2 光敏晶体管（输出）特性,『GO lew 炉 IBRJCEO 匕驶）呢匕 BR)ERO れFE,nA nA V V V,30,Vcb = 20V [广 ItnA fc=100^A Je-100mA,丫5 二 5%『F ニ 0,fc = 10mA,最小最大最小最大蠱小最大最小最大最小最大最小最大,100 10 40 45 7 100,14.3光 耦合器（传输）特性,参数条 件,极限值,G曲GH22 GH23 单位,最小最大最小最大最小最大,丫=100仃\?见4.5.5) 10H 1011 1011 Q,* ビ=0(见 4.5.5),/=]M 上,5 5 5 pF,レ晶林管型20 20 25 /,见图2 20 20 25 岗,二极管型3 3 3 位,口见图2 3 3 3 応,匕瀨皿） /p — 2 mA, テロ. 5 mA 0.3 0.3 0.3 V,CTR ￡cb = 5% 1尸卫 10mA 13 0.3 0.3 %,CTR1 Vqe = 5Vr /p = 1mA 50 250 100 500 200 1000 %,2引用文件,下列文件的有效版本,在本规范规定的范围内,构成本规范的一部分,GB 4587-84 双极型晶体管试验方法,GJB 33-85 半导体分立器件总规范,GJB 128-86 半导体分立器件试验方法,SJ 2215.1-SJ 2215.14 半导体光耦合器测验方法,SJ/Z 9014.2 半导体器件 分立器件和集成电路第5部分:光电子器件,—2 -,SJ 50033/3-94,3要求,3.I 概述,各条要求应按GJB33。SJ/Z 9014.2和本规范的规定,3.2 缩写、符号和定义,本规范使用的缩写、符号和定义应符合GJB 33-.SJ/Z 9014.2和下列的规定,ル,一正向瞬态脉冲峰值电流,CTR一直流电流传输比,Iceo一集电极ー发射极喑电流,】cbo一集电极一基极暗电流,ヘー输入与输出间绝缘电阻,G。ー输入ー输岀电容,匕。ー最大直流隔离电压,3.3 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应符合GJB 33和本规范图1的规定,3.3.I 引线材料和涂层,引线材料应为柯伐合金或等效物。引线涂层应为镀金、镀锡或浸锡。如果要求选择引线,涂层,应在合同中规定（见6.2）,3,4标志,制造厂有权选择将SJB 33中规定的下列标志从管体上省略,a.制造厂的识别,4质量保证规定,4.1 抽样和检验,抽样和检验应按GJB 33和本规范的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33的规定,4.3 筛选（仅对GT和GCT级）,筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1和2的规定逬行。*,过表1和2极限值的器件不应接收,筛 选,（见 GJB 33 表 2）,测 试,热冲击见 4.2.1,6高温反偏见4.2.2,7中间测试1，Ie単，hfe，CTRL Afaxii = 10。％初始值或 25nAdc,取较大者,,8电老化见 4.2.3,9最后测试本规范表1中A2分组,厶1皿工：10。%初始值或253％取……
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